老虎說芯

“老虎說芯”由北京大學微電子專業本碩，中國電源學會會員、在半導體行業有10多年經驗的胡獨巍先生撰寫，為大家提供半導體行業關于材料、工藝、應用、市場、資訊等方面的內容。在知乎有同名賬號。

更新日期： 2024-09-19
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1. 背景知識在我們進入超結MOSFET的細節之前，我們先了解一些背景知識。 MOSFET，全稱金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor），是一種非常重要的電子元件，廣泛應用于各種電子電路中。它的基本作用是作為一個開關，……

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固態硬盤（SSD）主控芯片簡析

更新日期： 2024-09-19
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固態硬盤組成主要包括主控芯片、NAND 閃存顆粒。其中主控芯片是固態硬盤的核心器件，負責與整機CPU進行數據通信以及NAND 閃存顆粒數據管理，廣泛應用于消費電子、服務器、工業控制等領域。固態硬盤主控芯片與其配套固件（FW）一起，實現對固態硬盤數據管理、NAND壞塊管理、NAND數據糾錯、NAND壽命均衡、垃圾……

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紅外線及紅外成像儀原理介紹

更新日期： 2024-09-19
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1、紅外線及紅外成像的概念光在本質上屬于電磁波，根據波長不同可以分為無線電波、微波、紅外線、可見光、紫外線、X 射線、γ 射線等類型。受人眼自然構造形成的視覺性能限制，人類只能對波長在 0.76-0.38 微米波譜段的輻射進行感知，無法通過直接觀察的方式獲取紅外線成像信息。光電成像技術是通過光學……

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晶圓制造為什么需要退火工藝？

更新日期： 2024-09-19
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退火工藝是晶圓制造中的關鍵步驟，通過控制加熱和冷卻過程，退火能夠緩解應力、修復晶格缺陷、激活摻雜原子，并改善材料的電學和機械性質。這些改進對于確保晶圓在后續加工和最終應用中的性能和可靠性至關重要。退火工藝在晶圓制造過程中扮演著至關重要的角色。 1. 退火工藝的定義退火（annealing）是一種熱處理工藝……

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硅晶棒切割成晶圓的技術難點

更新日期： 2024-09-19
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硅晶棒切割技術涉及多個方面的技術難點，需要綜合考慮機械、材料、熱力學、流體力學等多學科的知識，才能實現高效、高質量的硅片切割。硅晶棒切割是半導體制造過程中至關重要的一步，其技術難點主要集中在以下幾個方面： 1. 切割精度切割硅晶棒需要高度精確，以確保每片硅片的厚度一致。切割過程中的……

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光刻機分類

更新日期： 2024-09-19
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光刻機按光源類型可分為五類：I-line光刻機、KrF光刻機、ArF光刻機、ArFi光刻機（即ArF浸沒式光刻機，與ArF光刻機相比在曝光過程中在投影物鏡和晶圓之間放置了一層水膜）、EUV光刻機。按照應用領域可分為IC前道光刻機和IC后道光刻機。其中，IC前道光刻機主要應用于芯片制造，而后道光刻機主要用于芯片封裝。 ……

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黑神話悟空的電腦配置參數解釋

更新日期： 2024-09-19
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《黑神話：悟空》是一款國產的單機動作類角色扮演游戲，以西游記為題材。玩黑神話悟空的電腦最低配置和參數解釋如下：最低配置說明：最低配置是指運行某個軟件或游戲時，設備所需的最低硬件和軟件規格。這意味著，您的電腦至少需要達到這些配置要求，才能正常運行該軟件或者游戲。 1、操作系統……

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為什么晶圓先進制程需要FinFET？

更新日期： 2024-09-19
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FinFET技術在晶圓制造中引入了一種創新的三維晶體管結構，通過增強柵極控制和降低漏電流，實現了更高效的晶體管性能。這對于實現更小、更快、更節能的半導體器件是至關重要的。隨著半導體工藝節點的不斷縮小，FinFET技術的應用也變得越來越普遍和重要。 1. 背景：傳統平面晶體管的局限性在傳統的平面金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）中，隨著工藝節點的縮小（比如從90nm到65nm再到更小的節點），我們遇到了以下技術挑戰：短溝道效應：隨著晶體管的柵極長度縮短，柵極對溝道的控制能力減

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聊聊DRAM的原理、結構、工藝挑戰、未來發展

更新日期： 2024-09-19
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1. DRAM的基本概念 DRAM（Dynamic Random-Access Memory）是一種存儲數據的半導體器件，廣泛應用于計算機和其他電子設備中。圖：存儲芯片分類與SRAM（靜態隨機存取存儲器）不同，DRAM需要周期性地刷新來保持存儲的數據，這就是“動態”的含義。每個DRAM單元……

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聊聊高壓CMOS工藝

更新日期： 2024-09-19
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高壓CMOS (HVCMOS) 是一種專門為處理高電壓應用而設計的CMOS技術。HVCMOS技術因其能夠處理高壓且同時具備低壓CMOS電路的所有優勢，使其在現代電子設備的各個領域中成為不可或缺的技術。無論是電源管理、汽車電子還是其他需要高壓處理的場景，HVCMOS都提供了一種高效、可靠的解決方案。 1. 基礎CM……

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晶圓制造之化學氣相沉積CVD工藝

更新日期： 2024-09-19
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在制造集成電路時，有時候我們需要在硅片（也就是晶圓）表面上沉積一些特定的材料層，比如氮化硅（Si?N?）或氮氧化硅（SiON）。這些材料層不能直接從基板上生成，所以我們采用化學氣相沉積（CVD）這種方法。 CVD的原理是：我們將含有所需元素的氣體引入到反應室中，然后通過加熱讓這些氣體分解。雖然氣體不直接與晶圓表面……

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寸土寸金的晶圓為啥要留平邊（flat）或凹槽（notch）？

更新日期： 2024-09-19
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晶圓上留下的平邊（flat）或凹槽（notch）主要用于幫助在制造和處理過程中確定晶圓的類型、摻雜和晶向等信息。 1. 晶圓的晶向識別硅晶圓是由單晶硅錠通過切片制成的，硅晶錠的晶向（晶體結構排列的方向）對于半導體器件的性能和加工工藝非常重要。晶向包括常見的（100）、（110）和（111）晶向，不……

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