根據(jù)《中國(guó)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)：新材料(第三代半導(dǎo)體材料)》，與硅相比，碳化硅擁有更為優(yōu)越的電氣特性:

在集成電路生產(chǎn)過(guò)程中，晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個(gè)常見(jiàn)但復(fù)雜的問(wèn)題。每個(gè)環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因，因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每個(gè)工藝參數(shù)，尤其是對(duì)邊緣區(qū)域的處理，以減少這種現(xiàn)象的發(fā)生。

歐美→日本、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣→中國(guó)大陸→東南亞等。最近5年，由于東南亞具備人口紅利、勞動(dòng)力成本、巨大的需求等優(yōu)勢(shì)，中低端的電子產(chǎn)業(yè)逐漸從中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移到越南等東南亞國(guó)家。下面以越南為例。

雖然硅片是圓形的，但是在其上制作芯片時(shí)，為了最大限度地利用空間，減少浪費(fèi)，通常會(huì)在硅片上設(shè)計(jì)成多個(gè)方形或矩形的芯片布局。方形芯片在圓形硅片上排列得更加緊密。

我們每次活動(dòng)都有交流主題和專家級(jí)的業(yè)內(nèi)人士參與，這次活動(dòng)準(zhǔn)備了TSV和TGV的PPT課件給到參會(huì)者、嘉賓也分享了各自的學(xué)習(xí)資料和經(jīng)驗(yàn)。歡迎各位朋友參加后續(xù)活動(dòng)。

薄膜沉積是芯片制造的核心工藝環(huán)節(jié)。薄膜沉積技術(shù)是以各類(lèi)適當(dāng)化學(xué)反應(yīng)源在外加能量（包括熱、光、等離子體等）的驅(qū)動(dòng)下激活，將由此形成的原子、離子、活性反應(yīng)基團(tuán)等在襯底表面進(jìn)行吸附，并在適當(dāng)?shù)奈恢冒l(fā)生化學(xué)反應(yīng)或聚結(jié)，漸漸形成幾納米至幾微米不等厚度的金屬、介質(zhì)、或半導(dǎo)體材料薄膜。芯片是微型結(jié)構(gòu)體，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)是3D立體式形態(tài)，襯……

CMP（Chemical Mechanical Polishing）化學(xué)機(jī)械拋光，是一個(gè)將晶圓表面打磨得光滑平整的過(guò)程。想象您在打磨一塊寶石，除了手工的磨削，您還往上滴幾滴特制的藥劑，使其快變得光滑，這就是CMP工藝的縮影，它通過(guò)化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械力的配合，將晶圓表磨削到所需的平整度。

最近有熱心讀者希望了解：當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA（Gate-All-Around）時(shí)，會(huì)對(duì)蝕刻、清洗、CVD/PVD等制造工藝產(chǎn)生一系列影響。

晶圓制造是半導(dǎo)體生產(chǎn)中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，AOI檢測(cè)技術(shù)在晶圓制造過(guò)程中不可或缺。

行業(yè)慣例：從歷史上看，晶圓制造行業(yè)逐步從較小尺寸晶圓（如6英寸、8英寸）過(guò)渡到12英寸晶圓。在這個(gè)過(guò)程中，25片的批次成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，以便在不同晶圓尺寸之間保持一定的連續(xù)性和可預(yù)見(jiàn)性。

根據(jù)TrendForce的資料，2023年全球前十大芯片設(shè)計(jì)公司按照收入排名如下：第一名英偉達(dá)：靠賣(mài)GPU賺的盆滿缽滿，GPU H100、H200帶來(lái)業(yè)績(jī)暴增。英偉達(dá)是AI時(shí)代賣(mài)鏟子的公司，不管AI未來(lái)能否像互聯(lián)網(wǎng)一樣爆發(fā)，英偉達(dá)2024財(cái)年已經(jīng)賺了609億美元收入，毛利率高達(dá)73%（僅次于茅臺(tái)92%的毛利率），相當(dāng)于……

3納米工藝節(jié)點(diǎn)中的GAA晶體管帶來(lái)了顯著的技術(shù)挑戰(zhàn)。提取電氣特性需要新的方法和工具，以應(yīng)對(duì)其復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)和對(duì)工藝變異的敏感性。同時(shí)，新的物理失效模式也需要在設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中加以重視，以確保晶體管的可靠性和性能。3納米晶圓制造工藝中的“Gate all-around (GAA) transistors”所帶來(lái)的新提取要……