天天做天天爱天天综合网丨欧美亚洲色综久久精品国产丨18禁黄网站禁片免费观看丨亚洲伊人成无码综合网丨亚洲欲色欲香天天综合网

碳化硅SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET結構實現高耐壓和低阻抗，而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，實現散熱部件的小型化。另外，SiC-MOSFET工作頻率可以遠高于IGBT，其電路中電感電容器件更小，容易實現系統小體積小重量。與同檔600V~900V電壓的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的芯片面積小，可采用更小型封裝，而且體二極管的恢復損耗非常小。目前SiC MOSFET主要應用于高端工業電源，高端逆變器及轉換器，高端電機拖動及控制等。