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瞬態抑制二極管MMBZ15VDLT1G 瞬態抑制二極管MMBZ15VDLT1G 瞬態抑制二極管MMBZ15VDLT1G
瞬態抑制二極管MMBZ15VDLT1G

反向截止電壓(Vrwm):15V

擊穿電壓(最小值):14.3V

穿電壓([敏感詞]值):15.8V

反向漏電流(Ir):1mA

[敏感詞]鉗位電壓:21.2V

產品詳情

**瞬態抑制二極管 MMBZ15VDLT1G - 產品詳情**


**產品概述:**

瞬態抑制二極管 MMBZ15VDLT1G 是一款用于電路中抑制瞬態過電壓的元件。它能夠保護電路免受電壓峰值和快速變化的干擾,確保電路的穩定工作。該二極管具有反向截止電壓為15V,擊穿電壓范圍為14.3V至15.8V。它可以承受[敏感詞]鉗位電壓為21.2V的過電壓,并具有較低的反向漏電流。


**主要特點:**

1. 瞬態抑制性能: MMBZ15VDLT1G 瞬態抑制二極管能夠有效抑制電路中的瞬態過電壓,保護后續電路免受過電壓的損害。

2. 反向截止電壓: 該二極管具有15V的反向截止電壓,即在正常工作條件下,電壓不會超過該值。

3. 低反向漏電流: MMBZ15VDLT1G 具有1mA的反向漏電流,有助于保持電路的穩定性。

4. 高擊穿電壓范圍: 該二極管的擊穿電壓范圍為14.3V至15.8V,提供了較大的電壓容忍能力。

5. 封裝類型: SOT-23 封裝,便于安裝和集成到電子電路中。


**產品特性:**

- 生產商: 薩科微(Slkor)

- 反向截止電壓(Vrwm): 15V

- 擊穿電壓(最小值): 14.3V

- 穿電壓([敏感詞]值): 15.8V

- 反向漏電流(Ir): 1mA

- [敏感詞]鉗位電壓: 21.2V

- 封裝: SOT-23


**應用領域:**

瞬態抑制二極管 MMBZ15VDLT1G 廣泛應用于各種電子電路中,特別適用于以下領域:

- 電源線路的瞬態過電壓保護

- 通信設備和網絡設備中的電路保護

- 汽車電子系統中的電路保護

- 工業控制電路的瞬態過電壓抑制


請注意,以上信息僅為參考,具體的產品規格以及應用細節,請參閱廠商提供的數據手冊或聯系薩科微(Slkor)進行進一步查詢和確認。

MMBZ15VDLT1G SOT-23_00.png

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