晶體管類型: NPN

集射極擊穿電壓(Vceo): 20V

集電極電流(Ic): 1A

功率(Pd): 1.35W

集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@1A,100mA

直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 200@500mA,1V

特征頻率(fT): 40MHz

工作溫度: +150℃@(Tj)