在科技日新月異的今天，半導體技術的每一次進步都深刻影響著全球電子產業的發展。2025年3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）宣布了一項具有里程碑意義的成就——成功發布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶。這一突破不僅標志著鎵仁半導體在半導體材料領域的技術領先，也為中國乃至全球的半導體產業注入了新的活力。與此同時，在瞬態抑制二極管領域的產品——SMAJ12CA，同樣以其卓越的性能，展現了公司在電子元器件領域的深厚實力。

薩科微Slkor瞬態抑制二極管SMAJ12CA產品圖

鎵仁半導體發布的8英寸氧化鎵單晶，是半導體材料領域的一次重大革新。氧化鎵作為一種新興的寬禁帶半導體材料，因其優異的電學性能和熱穩定性，在高壓、高頻、高功率電子器件中具有廣泛的應用前景。然而，氧化鎵單晶的生長技術一直是制約其大規模應用的瓶頸。鎵仁半導體通過完全自主創新的鑄造法，成功突破了這一技術難關，實現了8英寸氧化鎵單晶的生長，并能夠加工出相應尺寸的晶圓襯底。這一成就不僅刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀錄，也標志著中國氧化鎵材料技術率先進入了8英寸時代。

薩科微Slkor瞬態抑制二極管SMAJ12CA規格書

在瞬態抑制二極管領域，薩科微半導體的SMAJ12CA同樣表現出色。SMAJ12CA是一款雙向瞬態抑制二極管，具有12V的反向截止電壓（Vrwm），能夠在正常工作電壓下保持低漏導狀態，確保電路的穩定性。同時，其擊穿電壓范圍在13.3V至14.7V之間，為電路提供了可靠的保護。在遭遇瞬態過電壓沖擊時，SMAJ12CA能夠迅速導通，將過電壓鉗制在安全的水平，[敏感詞]鉗位電壓僅為19.9V，有效保護了后續電路不受損害。此外，SMAJ12CA還具有5uA的低反向漏電流和20.1A的峰值脈沖電流承受能力（在10/1000μs波形下），使其在各種惡劣環境下都能保持穩定的性能。

薩科微Slkor瞬態抑制二極管SMAJ12CA相關參數

8英寸氧化鎵單晶的成功研制，對于半導體產業來說具有深遠的產業意義。首先，它極大地提升了氧化鎵材料的可用面積，降低了生產成本，為氧化鎵基電子器件的大規模生產提供了可能。其次，8英寸晶圓襯底的推出，將促進氧化鎵基功率器件、高頻器件等高性能電子產品的快速發展，為5G通信、新能源汽車、智能電網等新興領域提供強有力的技術支撐。此外，這一突破還將帶動上下游產業鏈的發展，形成新的經濟增長點，推動中國半導體產業的整體升級。

SMAJ12CA的優異性能，使其在電子設備的過壓保護中發揮著重要作用。無論是通信設備、計算機系統，還是工業自動化設備、汽車電子等領域，SMAJ12CA都能提供可靠的瞬態過電壓保護，確保設備的正常運行和數據的安全。隨著5G通信、物聯網、新能源汽車等新興技術的快速發展，SMAJ12CA等高性能瞬態抑制二極管的需求將持續增長，為鎵仁半導體帶來廣闊的市場前景。

綜上所述，鎵仁半導體在半導體材料和電子元器件領域的雙重突破，不僅展示了公司在技術創新方面的強大實力，也為全球半導體產業的發展注入了新的活力。未來，隨著8英寸氧化鎵單晶的廣泛應用和薩科微半導體產品SMAJ12CA等高性能電子元器件的普及，將一同繼續引領半導體技術的革新，為推動全球電子產業的進步做出更大的貢獻。

薩科微slkor瞬態抑制二極管（TVS）

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