FD-SOI工藝是全耗盡型絕緣層上硅技術的縮寫，它也是FinFET工藝發明者胡正明教授的發明的工藝技術，優勢是可以實現極低的功耗，近年來，隨著物聯網的全面爆發，低功耗技術需求增大 ，很多需要低功耗的器件轉向這個工藝，造成FD-SOI制造產能嚴重不足，雖然格芯已經擴大了在德累斯頓的產能但還是不能滿足客戶需求。

今天，意法半導體和格芯宣布，雙方將在意法半導體現有的法國Crolles 12英寸晶圓廠附近建立一個新的12英寸晶圓聯營廠，該工廠將在 2026 年提高到[敏感詞]產能，建成后，[敏感詞]年產能將達每年62萬片12英寸晶圓 (意法半導體約占 42%，格芯約占58%)。

據悉，該新工廠將支持多種制造技術，特別是基于 FD-SOI 的工藝技術，并將涵蓋其衍生技術，其中包括格芯市場前沿的 FDX 技術，以及意法半導體節點最小至18納米 的全面技術——預計未來幾十年，汽車、物聯網和移動應用對這些技術的需求仍將保持高位。

意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery 表示這個新的制造工廠將支持ST實現 200 億美元+營收目標，并加強FD-SOI在歐洲的生態系統。 

格芯首席執行官 Thomas Caulfield 博士表示格芯已經出貨超過10億顆FD-SOI工藝芯片此次合作將擴大格芯在歐洲技術生態系統中的影響力。

近日，歐洲半導體共計加強在芯片制造領域的投入，汽車半導體巨頭博世就表示到2026年前，博世將在半導體業務上要投資30億歐元。

今年2月8日，歐盟委員會公布了《芯片法案》，計劃大幅提升歐盟在全球的芯片生產份額。根據該法案，歐盟將投入超過430億歐元公共和私有資金，用于支持芯片生產、試點項目和初創企業。其中，110億歐元將用于加強現有的研究、開發和創新，以確保部署先進的半導體工具以及用于原型設計、測試的試驗生產線等。到2030年，歐盟計劃將在全球芯片生產的份額從目前的10%增加到20%。

看來這個法案已經有力推動了歐洲半導體制造業的發展。

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