（5）21世紀（倒裝封裝技術、系統級封裝技術和晶圓級封裝技術）
自20世紀90年代中期之后，集成電路封裝體的外觀（形狀、引腳樣式）并未發生重大變化，但其內部結構發生了三次重大技術革新，分別為：倒裝封裝技術、系統級封裝技術和晶圓級封裝技術。
①倒裝封裝技術
嚴格來說，倒裝封裝技術由來已久。早在 1964 年 IMB 在其固態邏輯技術混合組件中*使用了該項技術。但倒裝技術從 20 世紀 60 年代至 90 年代一直都未取得重大突破，直到 20 世紀 90 年代后隨著材料、設備及加工工藝的發展，同時隨著電子產品小型化、高速化、多功能趨勢的日益加強，倒裝技術再次得到集成電路封測行業的廣泛關注。
常規芯片封裝流程包括裝片、引線鍵合（焊線）兩個關鍵工序，而倒裝（FC，Flip Chip） 是通過晶圓凸點工藝（Bumping）在待封裝晶粒的電氣層表面形成一層呈陣列排布的金屬凸點（Bump），然后將金屬凸點直接與基板連接。
與常規焊線芯片相比，倒裝封裝工藝采用了凸點結構，互聯長度更短，互聯電阻、電感更小，封裝后芯片的電性能明顯提高。此外，由于倒裝工藝是將晶粒中的布線引出，再通過晶圓凸點工藝進行重新陣列排布，其 I/O 數量較焊線工藝大幅提升。
目前，倒裝技術作為先進封裝領域代表性技術之一，廣泛應用于從 QFN 到BGA 多種封裝形式之中。
②系統級封裝技術
隨著便攜式電子設備復雜性的增加，對集成電路芯片多功能、低功耗和輕薄性的要求越來越高，而使用先進晶圓制（10nm 及以下）將全部功能集成在一枚晶粒上的單芯片系統（SoC）面臨開發周期長、開發成本昂貴等問題。在這種情況下，系統級封裝技術應運而生。
系統級封裝并非專指一種技術，而是在工程設計基礎上，通過高精度裝片技術、高密度焊線技術、高精度 SMT 貼合技術、混合封裝技術、多種電磁屏蔽技術、多種底部填充技術等一系列先進技術，將多枚晶粒通過平鋪或堆疊的方式同電容、電阻、電感、天線等大量 SMT 元器件共同集成在一枚封裝體內的解決方案。通過系統級封裝，封測企業不僅將具備不同功能、使用不同材質的多枚集成電路晶粒集合在一起，同時還將原先獨立散落分布在 PCB 板上的大量SMT 元器件整合進封裝體內部。封裝體逐漸從芯片載體，發展為一塊系統模組，大幅提高了 PCB 板的空間利用率和組裝效率。
目前，系統級封裝產品已成為中高端先進封裝領域最常見的解決方案。
③晶圓級封裝技術
晶圓級封裝技術出現在 2000 年左右，是指在晶圓裸晶上進行部分或全部封裝加工。晶圓級封裝是晶圓凸點技術（Bumping）結合晶圓重布線（RDL，Redistribution layer）技術產生的一種封裝工藝，根據封裝結構的不同，可分為扇入式封裝（Fan-in）、扇出式封裝（Fan-out）等。
由于晶圓級封裝是在晶粒上進行封裝加工，因此其封裝體體積最小，在小型移動應用中具有較大優勢。此外，由于晶圓級封裝內部均使用晶圓凸點實現互聯，并通過晶圓重布線工藝進行了陣列排布，因此晶圓級封裝具有優異的電氣性能和 I/O 數量。
近年來，晶圓級封裝開發出通過硅通孔（TSV）互聯的多晶粒互聯、堆疊工藝，成為系統級封裝解決方案中重要技術工藝和發展方向。
