天天做天天爱天天综合网丨欧美亚洲色综久久精品国产丨18禁黄网站禁片免费观看丨亚洲伊人成无码综合网丨亚洲欲色欲香天天综合网

當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時，首先ID會發(fā)生變化（見波形示意圖T1）。在這個過程中，LS的ID沿增加方向流動，而HS的ID沿減少方向流動，受到等效電路圖中表示的事件(I)的影響，產(chǎn)生了公式（1）中所示的電動勢。這個電動勢會導(dǎo)致電流流向源極側(cè)對CGS進(jìn)行充電，在LS處將VGS向下推，在HS處將VGS向負(fù)極側(cè)拉，產(chǎn)生負(fù)浪涌（VGS的波形示意圖T1）。

當(dāng)ID的變化結(jié)束時，LS的VDS的電位降低（波形示意圖T2）。因此，公式（2）中的電流會像等效電路圖中的(II)-1、(II)-2那樣流動，并且VGS會分別引發(fā)公式（3）、（4）中的電壓上升。

VDS剛剛開始變化后，公式（3）中的VGS上升為主，隨著時間的推移，公式（4）中的VGS也開始上升。換句話說，MOSFET的CGD/CGS比、驅(qū)動電路的RG_EXT、柵極驅(qū)動信號圖形布線的電感值LTRACE對此具有很大影響。

如等效電路圖所示，HS中的(II)-2的電流ICGD2處于VGS提升方向。因此，本來應(yīng)該處于OFF狀態(tài)的HS因VGS的提升而開始了導(dǎo)通工作。這種現(xiàn)象稱為“誤啟動”。當(dāng)HS發(fā)生誤啟動時，就會與LS的導(dǎo)通工作重疊，致使HS和LS的MOSFET同時導(dǎo)通，從而引發(fā)直通電流。

ICGD2會持續(xù)流動到LS的導(dǎo)通工作結(jié)束，并被積蓄在LTRACE中，但會在VSW變化結(jié)束的時間點消失，LTRACE產(chǎn)生電動勢。這就是事件(III)。受RG_EXT等開關(guān)條件影響，ICGD2可能會達(dá)到幾安培，并且該電動勢可能會增加。

受上述事件(I)、(II)、(III)的影響，LS導(dǎo)通后的Gate-Source電壓呈現(xiàn)出波形示意圖中所示的動作。波形示意圖和等效電路圖的相同編號表示同一事件。另外，圖中VGS的虛線波形表示理想的波形。

外置柵極電阻的影響

下面是SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的LS導(dǎo)通時的雙脈沖測試結(jié)果。（a）波形圖的外置柵極電阻RG_EXT為0Ω，（b）為10Ω。圖中的(I)、(II)、(III)同前面相應(yīng)編號的事件。

比較(a)和(b)的波形可以看出，RG_EXT越小，由事件(I)引起的VGS下降就越大。此外，由于開關(guān)速度非?？欤虼耸录?III)在(a)中很突出；但由于RG_EXT為0Ω，因此幾乎沒有觀察到事件(II)的波形。另一方面，在(b)中，事件(II)-2和RG_EXT引起的VGS升程明顯。

從該結(jié)果可以清楚地看出，要想降低誘發(fā)LS導(dǎo)通時HS誤啟動的事件(II)-2的VGS升程，就需要減小HS關(guān)斷時的外置柵極電阻RG_EXT。然而，多數(shù)情況下，HS和LS的RG_EXT是相同的，因此，當(dāng)減小RG_EXT時，LS的dVDS/dt將增加，如公式（1）所示，HS的ICGD會增加。從公式（4）可以看出，結(jié)果會導(dǎo)致HS浪涌升高。

有一種對策方法是，使導(dǎo)通時和關(guān)斷時的RG_EXT分離，并且僅減小關(guān)斷時的RG_EXT。常規(guī)方法是使用二極管的方法，如右圖所示。使用這種方法，在導(dǎo)通狀態(tài)下工作的電阻只有RG_ON，而在關(guān)斷狀態(tài)下，二極管導(dǎo)通并成為RG_ON和RG_OFF的并聯(lián)電阻。因此，相對于導(dǎo)通時的電阻值，關(guān)斷時的電阻值變小。

另外，與最前面說明中使用的波形示意圖不同，HS的VGS波形之所以在緊靠事件(I)之前的位置向正極側(cè)振蕩，是因為事件(I)的電流開始流動的瞬間LSOURCE引起的電動勢在通過CGS后立即被觀測到了。