天天做天天爱天天综合网丨欧美亚洲色综久久精品国产丨18禁黄网站禁片免费观看丨亚洲伊人成无码综合网丨亚洲欲色欲香天天综合网

SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，具有以下區別：

驅動電壓

由于SiC-MOSFET的漂移層電阻低、通道電阻高的特性，其驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高時，導通電阻越低。SiC-MOSFET的導通電阻從Vgs約為20V開始變化（下降）并逐漸減小，接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅動電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V左右驅動，以充分獲得低導通電阻。換句話說，兩者之間的區別之一是SiC-MOSFET的驅動電壓要比Si-MOSFET高。因此，在替換Si-MOSFET時，需要考慮柵極驅動器電路的調整。

內部柵極電阻

SiC-MOSFET的內部柵極電阻Rg取決于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸。如果設計相同，則Rg與芯片尺寸成反比，芯片越小，柵極電阻越高。在相同性能條件下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si-MOSFET小，因此柵極電容小，但內部柵極電阻較大。不僅SiC-MOSFET受到影響，MOSFET的開關時間也取決于外部和內部柵極電阻的綜合值。SiC-MOSFET的內部柵極電阻比Si-MOSFET大，因此要實現高速開關，需要盡量減小外部柵極電阻，通常在幾Ω左右。

然而，外部柵極電阻還需要應對施加在柵極上的浪涌，因此需要在浪涌保護和高速開關之間取得良好的平衡。