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半導(dǎo)體制造工藝中的刻蝕是利用物理和(/或)化學(xué)方法有選擇性地從晶圓表面去除不必要材料的過程?？涛g工藝通常位于光刻工藝之后，利用刻蝕工藝對(duì)定義圖形的光阻層侵蝕少而對(duì)目標(biāo)材料侵蝕大的特點(diǎn)，從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟?？涛g工藝主要分為干法和濕法兩種。

1、干法刻蝕

①定義

干法刻蝕是在真空環(huán)境(稀薄氣體)下，將相關(guān)氣體等離子體化，形成有效的離子態(tài)刻蝕反應(yīng)物，與晶圓表面發(fā)生物理和(/或)化學(xué)反應(yīng)形成氣態(tài)產(chǎn)物，從而將目標(biāo)材料去除。

干法刻蝕能夠通過物理方式控制離子態(tài)刻蝕成分沿基本垂直于晶圓表面的方向轟擊目標(biāo)材料并強(qiáng)化化學(xué)刻蝕作用,從而具有良好的方向性和刻蝕剖面可控性，能夠形成各種溝槽和深孔等構(gòu)造，保證細(xì)微圖形轉(zhuǎn)移的保真性，是半導(dǎo)體制造過程中最主要的圖形轉(zhuǎn)移方法。

②特點(diǎn)

干法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)是能夠?qū)崿F(xiàn)100納米以下的精細(xì)圖形轉(zhuǎn)移，缺點(diǎn)是成本高、產(chǎn)能低、材料選擇性不如濕法、等離子體可能對(duì)芯片造成電磁輻射損壞?？涛g方向是各向異性。

圖：干法刻蝕與濕法刻蝕的區(qū)別，來自kingsemi

2、濕法刻蝕

①定義

濕法刻蝕是在大氣環(huán)境下，利用化學(xué)品溶液去除品圓表面的材料的工藝過程。濕法刻蝕主要利用溶液中的有效化學(xué)成份與目標(biāo)材料之間的化學(xué)反應(yīng)，生成可溶性產(chǎn)物而將目標(biāo)材料去除。

由于缺乏有效的方向控制機(jī)理，濕法刻蝕大多數(shù)是各向同性的刻蝕，不能像干法刻蝕一樣對(duì)刻蝕剖面進(jìn)行精確控制，因此不能用于先進(jìn)工藝中細(xì)微圖形的轉(zhuǎn)移。濕法刻蝕多用于先進(jìn)工藝中干法刻蝕后殘留物的去除，或者用于先進(jìn)封裝應(yīng)用中微米級(jí)以上(大于3um)圖形轉(zhuǎn)移。

②特點(diǎn)

濕法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)是成本低、刻蝕速率高、材料選擇性高，缺點(diǎn)是不能實(shí)現(xiàn)微米級(jí)以下的圖形轉(zhuǎn)移、化學(xué)品需要處理。刻蝕的方向性是各向同性。

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